Suchergebnisse für "DRAM"
2026-05-19
03:37

Der Gate-CFD-Vertragsbereich für Aktien ist mit 53 Handelspaaren online gegangen und unterstützt einen festen 4-fachen Hebel.

Gate News meldet die Nachricht gemäß der offiziellen Gate-Ankündigung Der Gate CFD-Vertrags-Aktienbereich ist mit 53 CFD-Handelspaaren online gegangen und bietet einen festen Hebel von 4x. Zu den neu gelisteten Handelspaaren gehören unter anderem SHLD (GLOBAL X Defense Tech ETF), DRAM (Roundhill Memory ETF), GME (GameStop), NBIX (Neurocrine Biosciences), BAX (Baxter International), KMI (Kinder Morgan), CFG (Citizens Financial Group), Z (Zillow Group), DVN (Devon Energy) sowie ADP (Automatic Data
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SHLD-0,06%
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06:25

Der Gate-Vertragsaktienbereich wird am 18. Mai mit dem Börsengang von DRAM, HIMS, SHLD, IWM, FLNC-Perpetual-Futures starten und unterstützt Transaktionen mit einem Hebel von 1-20x

Gate News meldet: Laut offizieller Gate-Ankündigung vom 18. Mai 2026 Der Gate-Vertrag-Aktienbereich wird am 18. Mai 2026 um 14:30 (UTC+8) mit dem Erstlisting von DRAM (Lonshir-Storage-Chip-ETF), HIMS (Hims Health), SHLD (Global X Defense Tech ETF), IWM (BlackRock Russell 2000 ETF) und FLNC (Fluence Energy) für den Spot-Realtrading-Handel von Perpetual-Futures live gehen. Unterstützt wird die Abwicklung in USDT; möglich sind Long- und Short-Positionen mit dem Hebel von 1–20. DRAM ist der weltweit
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DRAM-4,99%
HIMS-3,44%
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06:11

Nvidia soll Apple bis 2027 als größter Nutzer von LPDDR überholen, Kapazität erreicht 6,041 Mrd. GB

Laut Hana Securities und Citrini Research wird Nvidia voraussichtlich im Jahr 2027 zum größten Abnehmer von stromsparendem DRAM (LPDDR) werden, angetrieben durch die stark steigende Nachfrage nach KI-Servern. Nvidias LPDDR-Kapazität soll von 3,144 Milliarden GB im Jahr 2026 auf 6,041 Milliarden GB im Jahr 2027 steigen, damit Apple und Samsung Electronics übertreffen und 36% der weltweiten Gesamtlieferungen ausmachen. Die Analysten führten die Verschiebung auf neuere KI-Systeme wie Nvidias Vera R
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NVDA-2,03%
15:21

Ein Privatanleger kauft am 11. Mai 55 Anteile eines neuen AI-Memory-ETF und investiert 7% des Portfolios in DRAM

Am 11. Mai kaufte Brian Emes, ein 43-jähriger Filialleiter im Einzelhandel in Lethbridge, Alberta, 55 Anteile des Roundhill Memory ETF (DRAM), das erst Anfang April auf den Markt gekommen war. Die Position macht inzwischen etwa 7% seines Portfolios aus und ist damit eine stark konzentrierte Wette auf Aktien rund um künstliche Intelligenz und Speicherchips. Emes tätigte den Kauf auf Grundlage von Diskussionen in Reddit-Threads und YouTube-Videos, die eine KI-getriebene Nachfrage nach Speicherchip
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12:58

Die Evolution von KI-Agenten treibt einen DRAM-Mangel auf 30–50%: Ein nächster Preisanstieg könnte 2027 bevorstehen – Guotai Haitong

Laut Guru Club hat die Forschungsabteilung von Guotai Haitong Securities am 15. Mai festgestellt, dass die durch KI gesteuerte Lieferketten-Inflation die Zuteilung von Halbleitern neu formt. Herkömmliche Engpässe bei DRAM-Lieferungen haben 30 bis 50% erreicht; die Preise steigen, während KI-Beschleuniger um HBM-Ressourcen konkurrieren. In der Zwischenzeit haben Amazon AWS und Google Cloud ihren zweijahrzehntelangen Preisrückgang gebrochen, um Gebühren zu erhöhen, was darauf hindeutet, dass sich
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06:31

Samsung plant die Serienfertigung von CXL-3.1-KI-Server-Speichermodulen im vierten Quartal

Laut The Korea Herald plant Samsung Electronics, im vierten Quartal mit der Serienproduktion seiner CXL-3,1-Speichermodule für KI-Server zu beginnen, nachdem im dritten Quartal Musterlieferungen erfolgt waren. Das CMM-D-3,1-Modul kombiniert DRAM und einen CXL-Controller auf einer einzigen Platine und unterstützt bis zu 1 Terabyte mit einer Bandbreite von 72 Gigabyte pro Sekunde über PCIe 6.0. Samsung hatte zuvor CXL-2.0-Muster an über 40 Unternehmen ausgeliefert, darunter Microsoft und Amazon.
05:30

Citi erhöht das Kursziel für SK Hynix auf 3,1 Millionen Won und bestätigt die Kaufempfehlung

Laut Citi hat die Investmentbank das Kursziel für SK Hynix (000660.KS) am 12. Mai auf 3,1 Millionen Won von 1,7 Millionen Won angehoben. Begründet wird dies mit starken Trends bei den Speicherpreisen sowie mit einem besseren als erwarteten Wachstum bei HBM (High Bandwidth Memory) in der zweiten Hälfte des Jahres 2026. Citi geht davon aus, dass SK Hynix von einem 30%igen Quartalsanstieg der HBM-Preise in Q4 2026 profitieren wird, gestützt durch robuste DRAM-Preise, die durch die jüngsten Entwickl
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20:32

Roundhill Memory ETF (DRAM) erreicht in 36 Handelstagen 6,5 Milliarden US-Dollar und übertrifft den Bitcoin-ETF-Rekord

Laut Bloomberg Intelligence stieg der Roundhill Memory ETF (DRAM) am Montag um 6,44% auf 56,20 US-Dollar und durchbrach in nur 36 Handelstagen die Marke von 6,5 Milliarden US-Dollar an Assets – als schnellster börsengehandelter Fonds überhaupt, der diese Schwelle erreichte. Damit wurde die Leistung von Bitcoin-ETFs übertroffen, die 43 bis 51 Tage dafür benötigten. Der Kursanstieg wurde durch eine starke Nachfrage nach KI-Speicherchips angetrieben: Micron Technology, die größte Position des ETFs
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BTC-3,7%
12:16

Roundhill Memory ETF (DRAM) erreicht in 36 Tagen 6,5 Milliarden US-Dollar an Assets und bricht den IBIT-Rekord

Laut Bloomberg-Analyst Eric Balchunas hat der Roundhill Memory ETF (DRAM) in nur 36 Tagen die Marke von über 6,5 Milliarden US-Dollar an Assets übertroffen und damit den bisherigen Rekord von BlackRocks Bitcoin-Spot-ETF IBIT gebrochen, der 43 Tage benötigte, um die gleiche Schwelle zu erreichen. DRAM stieg am Freitag um 13% und zog rund 1 Milliarde US-Dollar an Zuflüssen an, was das schnelle Wachstum der Vermögenswerte antrieb.
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10:21

Nanya liefert LPDDR5X-Speicher für Nvidias Vera-Rubin-KI-Plattform

Gate News-Nachricht, 28. April — Der taiwanesische Speicherchiphersteller Nanya Technology wird LPDDR5X Low-Power-DRAM für Nvidias nächste Generation der Vera-Rubin-KI-Plattform liefern und dabei das SOCAMM2-Speichermodulformat verwenden. Nvidia nimmt Nanya als Backup-Lieferanten neben Samsung Electronics und SK Hynix auf, um das Lieferwertrisiko zu verringern und die Preisgestaltungsspielräume zu verbessern.
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