華邦電創新高觸及漲停！台股記憶體族群領漲，台灣DRAM廠商排名再升級

Рынок памяти продолжает демонстрировать сильный рост, вызванный дисбалансом спроса и предложения, и 華邦電（2344） сегодня уверенно пробила ценовой лимит, завершив торги на уровне 67.9 юаней, что на 9.87% выше предыдущего дня, став лидером по объему и стоимости сделок на тайваньской бирже. Это уже третий подряд торговый день, когда 华邦电 показывает рост вопреки рыночной тенденции, за три дня суммарный прирост составил 20.37%. Одновременно растут акции концептуальных компаний памяти, таких как 旺宏 и 力積電, что делает их наиболее яркими центрами внимания на рынке.

Поиск новых максимумов ценового лимита, вызов уровня 69.1 юаней

华邦电 сегодня с открытия демонстрирует сильный покупательский интерес: к 10:00 утра объем торгов превысил 200 000 акций, и цена была зафиксирована на уровне 67.9 юаней — лимитной цене. В текущий момент цена уже готова к новому штурму исторического максимума 69.1 юаней, достигнутого с 2025 года.

Технический анализ показывает, что цена 华邦电 достигла верхней границы полосы Боллинджера и уверенно держится выше краткосрочных скользящих средних, формируя типичную бычью расстановку. Краткосрочный импульс очень силен, что отражает насыщенность рынка бычьими настроениями. Также нельзя недооценивать приток капитала: институциональные инвесторы активно покупают акции уже несколько дней подряд, особенно иностранные инвесторы, что свидетельствует о высокой уверенности в перспективах компании.

Выручка выросла почти на 40%, дефицит памяти способствует росту тайваньских DRAM-производителей

Последние данные 华邦电 показывают, что в ноябре совокупная выручка достигла 86.29 млрд юаней, что на 5% больше по сравнению с предыдущим месяцем и на 38.7% — по сравнению с аналогичным периодом прошлого года, что является лучшим показателем за последние три года. За одиннадцать месяцев выручка составила 796.35 млрд юаней, рост на 5.85% в годовом выражении.

Этот мощный рост обусловлен структурными изменениями, вызванными резким ростом спроса на искусственный интеллект по всему миру. Основные производители памяти борются за долю рынка высокомаржинальной памяти с высокой пропускной способностью (HBM), корректируя свои производственные мощности, что приводит к серьезным перебоям в поставках традиционной DRAM и флеш-памяти (Flash). 华邦电 своевременно увеличила капитальные вложения, чтобы оперативно реагировать на изменение спроса, что привело к значительному росту заказов и повышению позиций в рейтинге тайваньских производителей DRAM.

Анализируя баланс спроса и предложения, можно заметить, что средний запас DRAM у крупнейших производителей сократился с 13-17 недель в конце прошлого года до 2-4 недель в октябре этого года, что свидетельствует о крайне низких уровнях запасов. Структурное сокращение предложения становится еще более очевидным: ведущие мировые производители приоритетно перераспределяют мощности на производство DDR5 и HBM, а синхронные корректировки в Китае усугубляют ситуацию, начиная с третьего квартала, когда начался дефицит поставок DDR4.

Спрос остается сильным. Корпоративные твердотельные накопители (eSSD) и другие основные устройства хранения данных требуют DDR4, и реальный спрос на рынке превышает ожидания, что дополнительно укрепляет стратегическую позицию 华邦电 и других производителей.

Иностранные инвесторы прогнозируют рост до 2026 года, цены на спотовом рынке выросли в 5-6 раз

Недавние аналитические отчеты иностранных инвесторов едины во мнении, что перспективы индустрии памяти остаются оптимистичными, и ожидается, что ценовой рост продолжится до 2026 года. Инвесторам рекомендуется «не спешить с фиксацией прибыли». В отчётах особо отмечается, что поставки DDR4 16Gb наиболее дефицитны, а спотовая цена уже достигла примерно 100 долларов за штуку, что значительно превышает отраслевую ориентировочную цену в 45.5 долларов.

Интересно, что на рынке возникла редкая ситуация «обратной кривой» — цена DDR4 на спотовом рынке однажды превысила цену DDR5. С начала года цена за штуку была менее 1 юаня, а в четвертом квартале выросла в 5-6 раз.

Иностранные инвесторы также прогнозируют, что дефицит поставок NOR Flash сохранится и в 2026 году, а цены могут вырасти более чем на 20% в первом квартале следующего года. На этой основе они вновь подтверждают позитивное отношение к сектору памяти и явно выделяют 华邦电 как приоритетную рекомендацию.

Институциональные инвесторы активно увеличивают позиции, расширение мощностей стимулирует рост

华邦电 предпринимает стратегию двойного расширения мощностей, чтобы максимально использовать текущие рыночные возможности. Производство в Таичу продолжит увеличивать выпуск NOR Flash, NAND Flash и зрелых технологий DRAM; в Китае на новом заводе планируется увеличить месячное производство DRAM с 15 000 до 24 000–25 000 пластин, а к первому кварталу 2026 года запустить производство более передовых 16-нанометровых продуктов. Технологическая платформа CUBE, по прогнозам, начнет приносить существенный доход с 2027 года.

Аналитические агентства прогнозируют, что к 2026 году глобальный дефицит DDR4 превысит 10%. Взаимодействие факторов, таких как переход клиентов на DDR5 и изменение ценовых разниц, может привести к тому, что 华邦电 войдет в наиболее прибыльный этап роста в 2026 году.

Финансовый настрой еще более позитивен. На прошлой неделе крупные институциональные инвесторы — иностранные, инвестиционные фонды и дилеры — совместно увеличили свои позиции в 华邦电, приобретая более 50 000 акций, из которых иностранные инвесторы купили более 42 000 за неделю.

Тайваньские производители памяти, поскольку еще не лидируют в технологиях HBM и 3D-стеков (TSV), в настоящее время выигрывают за счет «эффекта вытекания» роста цен на стандартные DDR4 и DDR5. Запасы 华邦电 и 旺宏 сократились с 185 до примерно 140 дней, что реально улучшает показатели выручки и прибыли. В целом, позиции тайваньских производителей DRAM в этом цикле будут зависеть от динамики цен на память и спроса на конечных рынках, и дальнейшее развитие 华邦电 заслуживает пристального внимания.