金十データ7月4日、業界筋によると、三星電子の半導体事業を担当するデバイスソリューション（DS）部門が再編され、HBM研究開発グループが新たに設立されました。三星電子の副社長であり、高性能DRAM設計の専門家である孫永洙（読み）氏がこの研究開発グループのリーダーを務め、HBM3、HBM3E、そして次世代のHBM4技術の開発を率いることになります。さらに、三星電子は先進パッケージング（AVP）チームとデバイステクノロジーラボを再編成し、総合的な技術競争力を向上させることを目指しています。
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