華邦電創新高觸及漲停！台股記憶體族群領漲，台灣DRAM廠商排名再升級

記憶體市場供需失衡帶動的強勁漲勢持續延燒，華邦電（2344） 今日順勢突破漲停板，終場收於67.9元，單日漲幅達9.87%，並成為台股成交量與成交值的雙冠王。這已是華邦電連續第三個交易日逆勢上揚，累計三日漲幅更達到20.37%。同步帶動旺宏、力積電等記憶體概念股全線上揚，形成盤面上最耀眼的漲勢焦點。

漲停搜尋新高，挑戰69.1元前波價位

華邦電今日開盤即展現強大買氣，上午10時成交量便突破20萬張，正式鎖定漲停價67.9元。股價現階段已蓄勢欲向2025年以來的歷史高點69.1元發起新一輪衝擊。

技術面顯示，華邦電股價已觸及布林帶上軌，且穩站各短期均線之上，形成典型的多頭排列態勢。短線動能表現相當強烈，反映出市場做多氣氛濃厚。資金推動力道同樣不容小覷，法人買盤已連續多日積極布局，其中以外資最為積極，足見機構投資者對公司前景的看好程度。

營收年增近四成，記憶體缺貨行情打造台灣DRAM廠商排名上升

華邦電最新公布的營運數據顯示，11月合併營收達86.29億元，環比成長約5%，同比更暴增38.7%，創造超過三年以來的最佳單月表現。前11個月累計營收為796.35億元，年增率5.85%。

這波強勁成長源自於全球人工智慧應用需求急劇擴張所帶動的結構性變化。主要記憶體大廠為搶攻高毛利的高頻寬記憶體（HBM）市場，紛紛調整產能配置，導致傳統DRAM與快閃記憶體（Flash）供給出現嚴重排擠。華邦電及時提升資本支出，率先應對市場需求反轉，客戶訂單隨之大幅增加，在台灣DRAM廠商排名中地位顯著提升。

從產業供需面觀察，DRAM大廠的平均庫存週數從去年底的13至17週，急速縮短至今年10月的2至4週，庫存已去化至極低水位。供給端的結構性緊縮更加明顯——全球主要廠商優先將產能配置給DDR5及HBM，疊加中國同業的同步調整，DDR4規格自第三季起開始面臨根本性供給短缺。

需求端卻依舊強勁。企業級固態硬碟（eSSD）等主流儲存設備仍需搭配DDR4規格，實際市場需求遠超預期，進一步凸顯華邦電等廠商的戰略地位。

外資看多至2026，現貨價格狂漲5至6倍

外資機構近期研究報告一致看多記憶體產業後勢，預期報價上漲動能將延續至2026年，並建議投資者「勿急著獲利」。報告特別強調，DDR4中16Gb規格供應最為短缺，現貨價已飆升至約每顆100美元，相對業界參考價45.5美元形成巨大落差。

有趣的是，市場甚至出現罕見的「價格倒掛」——DDR4現貨價一度超越DDR5。從年初每顆不到新台幣1元的低點，第四季已呈現5至6倍的驚人漲幅。

外資同時預估NOR Flash的供應缺口將在2026年持續擴大，其價格有望在明年第一季漲幅超過20%。在此基礎上，外資機構再度確認對記憶體族群的正面評價，並明確將華邦電列為首選推薦標的。

法人同步加碼，產能擴張接力上漲動能

華邦電為把握此波市場機遇，正啟動雙軸產能擴充戰略。台中廠將持續提升NOR Flash、NAND Flash及成熟製程DRAM產出；高雄新廠的DRAM月產能規劃從目前1.5萬片晶圓，大幅提升至2.4萬至2.5萬片，預計2026年首季量產更先進的16奈米製程產品。CUBE堆疊技術平台預期自2027年起對營收產生實質貢獻。

市場研究機構預測2026年全球DDR4供需缺口將超過10%。在下游客戶轉用DDR5速度、兩者價差變化等因素交互作用下，華邦電有望進入2026年獲利成長最顯著的階段。

資金端態度更是積極。上週統計外資、投信與自營商三大法人同步加碼華邦電，合計買超超過5萬張，其中外資單週買超即達4.2萬張以上。

台灣記憶體業者由於在HBM及3D堆疊（TSV）封測技術上尚未領先，當前主要受惠於DDR4與DDR5標準型記憶體漲價的「外溢效應」。華邦電、旺宏等原廠庫存週轉天數已從過往的185天，下降至140天左右，營收與獲利能力實質改善。整體而言，台灣DRAM廠商排名在這波景氣循環中將隨著記憶體報價與終端需求走勢而動，華邦電的後市表現值得密切追蹤。