## 記憶體族群躍升台股焦點：華邦電NAND Flash廠商排名領先，漲停背後的基本面轉變

記憶體市場供給端正發生根本性轉折。國際大廠為搶占高頻寬記憶體（HBM）市場，紛紛將產能從傳統DRAM與快閃記憶體（Flash）轉移，導致全球記憶體供應出現明顯缺口。在這波結構性短缺中，華邦電作為全球NAND Flash廠商排名靠前的台灣製造商，成為最直接的受惠者。

### AI需求引爆供給緊張，DDR4現貨價出現歷史級別漲幅

過去一年，DRAM市場庫存水位從年初的13至17週迅速下降到10月的2至4週，庫存之低前所未有。更引人注目的是DDR4規格的供需反轉——主流廠商優先配置產能給新世代DDR5與HBM產品，導致DDR4供應急劇萎縮，而企業級儲存設備對DDR4的需求卻持續强勁。

這種錯配造就了驚人的價格漲幅：DDR4合約價從年初每顆約新台幣1元多，到第四季已翻升5至6倍。市場甚至出現罕見的「價格倒掛」——DDR4現貨價一度超越DDR5，顯示供給端面臨嚴峻壓力。

### 華邦電營收創三年新高，法人機構同步看多

華邦電11月合併營收達86.29億元，不僅月增5%，年增更高達38.7%，創下三年來新高。前11個月累計營收796.35億元，年增5.85%，營收動能明顯加快。

外資機構近期密集發布樂觀報告，認為記憶體漲價潮可望延續至2026年，並特別強調DDR4中16Gb規格的供應缺口最嚴峻——現貨價已飆至每顆約100美元，遠高於業界參考價45.5美元。展望2026年，DRAM合約價預期將持續上升，其中DDR5與DDR4分別估價每顆17元與12元，暗示這波循環至少延續至明年。

### 股價連三日上揚，技術面與籌碼面同步轉強

華邦電今日封住漲停，終場收於67.9元，漲幅9.87%，成交量與成交值雙雙居台股之冠。這是股價連續第三個交易日上揚，累計漲幅已達20.37%，並帶動旺宏、力積電等整個記憶體族群同步走揚。

技術面上，股價今日觸及布林帶上軌，穩站短期均線之上，形成明確多頭排列。資金面同樣活躍，三大法人上週同步加碼，合計買超超過5萬張，其中外資單週買超即超過4.2萬張。

### 雙軸產能擴充啟動，搶進結構性短缺機遇

為掌握市場機會，華邦電正推動產能雙軸擴張：台中廠持續拉升NOR Flash、NAND Flash與成熟製程DRAM產出；高雄新廠DRAM月產能將由現階段1.5萬片晶圓大幅拉升至2.4至2.5萬片，預計2026年首季量產16奈米先進製程，並從2027年開始CUBE晶圓級堆疊技術將對營收產生貢獻。

市場預測2026年全球DDR4供需缺口將擴大至10%以上。在人工智慧、工業電腦、車用電子等多元應用需求共同驅動下，華邦電有望在記憶體產業的上升週期中邁入獲利成長最顯著的階段。台灣記憶體業者庫存週轉天數已從185天下降至140天，營收與獲利能力改善幅度明顯，整體族群後續表現將緊密跟隨記憶體報價與終端實際需求變化而定。