SK海力士将在韩国投资128.5亿美元建设先进AI内存封装工厂

Gate News消息,4月22日——SK海力士宣布计划投资19万亿韩元(约128.5亿美元),建设一家新的先进封装设施,地点在韩国;建设将于本月开始,以满足AI内存芯片需求的增长。

该工厂定为P&T7,位于清州,紧邻公司M15X晶圆生产设施,重点将放在高带宽内存(HBM)的封装与测试。其规模约为231,400平方米,预计将跻身全球最大的HBM封装基地之列。将晶圆生产与封装同址布局,旨在加快制造效率。SK海力士还宣布,2025年将投入20万亿韩元(约136亿美元)进行产能扩张,包括加速在韩国开设另一座内存芯片工厂。

该投资是三部分封装战略的一部分,包括电川现有运营以及在美国印第安纳州西拉法叶计划建设$4 数十亿美元(先进封装与研发枢纽。公司还从ASML这家荷兰半导体设备供应商处订购了价值12万亿韩元)约79.7亿美元的制芯设备。

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